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        型号 工作电压(V) 工作电流(mA) 触发场强(mT) 释放场强(mT) 磁场回差(mT) 温度范围(℃) 封装 工艺 备注2
        ES2491 2.5 ~ 5.5 0.005 < 5 > 0.5 1.2 -40 ~ 100 SOT-23 CMOS
        ES2483 3.5 ~ 24 0.015 < +/- 6 > +/- 0.5 1.2 -40 ~ 125 SOT-23
        ES249 2.5 ~ 5.5 0.05 3 ~ 10 1 ~ 8 1.2 -40 ~ 85 SOT-23 CMOS
        ES247G 2.5 ~ 5.5 0.005 +/- 1.8 +/- 1 0.8 -40 ~ 85 SOT-23 CMOS
        EST248G 2.5~5.5 0.003 <±2.3 >±0.5 0.8 -40~100 SOT23TO-92 CMOS
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